IGBT（绝缘栅双极晶体管）

功率器件

MOSFET：超结MOSFET（500V-1700V）、高压平面MOSFET、碳化硅MOSFET、中低压沟槽MOSFET、SGT MOSFET（12V-200V），覆盖宽电压与封装谱系（TO247/TOLL/DFN/TO220等）。

SiC MOSFET：碳化硅器件，适配高功率密度、高频高效场景，面向新能源汽车与光伏逆变。

功率二极管：整流桥、快恢复/超高效/超快恢复二极管、SiC肖特基二极管，满足不同效率与反向恢复需求。

保护器件

ESD：30+封装、300+型号，电容0.1-1000pF、峰值电流1-300A，适配高速信号与电源口防护。

PTVS/TVS：PTVS 涵盖 M4SMF、SMF、SMBJ、SMCJ 等系列，多 种封装。

PTSS/GDT/Zener：覆盖浪涌抑制、电压钳位、静电防护等场景，适配安防、网通、工业控制。

核心优势：小封装大功率、低残压、高可靠性，内置多层防护结构，通过极端环境测试。

标准器件

BJT（双极晶体管）：信号与功率型，适配放大、开关、驱动场景。

SKY（肖特基二极管）：电流覆盖0.1-30A，用于电源管理、BMS、高速接口。

Switching二极管：高频开关应用，反向恢复快、损耗低。

Rectifier/Bridge：整流与桥堆，适配AC/DC转换与电源系统。

SCR（可控硅）：用于过流/过压保护、调光与电源控制。

BRT（数字晶体管）：集成电阻，简化设计、提升稳定性。

封装与交付：封装丰富（SOD-123/SOT23/TO系列等），型号齐全、交期稳定。

模拟IC

LDO（低压差线性稳压器）：低噪声、高PSRR，适配精密模拟与数字电路供电。

OVP（过压保护IC）：中低压场景（12-200V），提供过压/过流/过热保护，适配电源适配器、电池管理。

锂电保护IC：单/多节电池保护，支持过充/过放/过流/短路保护，面向消费电子与储能系统。

电源管理芯片：含DC/DC、负载开关等，提升系统能效与可靠性。

应用领域：通讯、安防、消费电子、汽车电子、工业控制、医疗仪器等。